FQU1N60CTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQU1N60CTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Specifiche:	FQU1N60CTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	113897 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 113897 pcs

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Specifiche di FQU1N60CTU

Modello di prodotti	FQU1N60CTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 1A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	113897 pcs	Scheda dati	FQU1N60CTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	11.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Altri nomi	FQU1N60CTU-ND FQU1N60CTUFS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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