FQU2N60CTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQU2N60CTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Specifiche:	1.FQU2N60CTU.pdf 2.FQU2N60CTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	96125 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96125 pcs

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Specifiche di FQU2N60CTU

Modello di prodotti	FQU2N60CTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	96125 pcs	Scheda dati	1.FQU2N60CTU.pdf 2.FQU2N60CTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 44W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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