FQU7P20TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQU7P20TU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
Specifiche:	FQU7P20TU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4205 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4205 pcs

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Specifiche di FQU7P20TU

Modello di prodotti	FQU7P20TU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4205 pcs	Scheda dati	FQU7P20TU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	690 mOhm @ 2.85A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	P-Channel 200V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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