FW276-TL-2H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FW276-TL-2H
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
Specifiche:	FW276-TL-2H.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2779 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2779 pcs

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Specifiche di FW276-TL-2H

Modello di prodotti	FW276-TL-2H	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2779 pcs	Scheda dati	FW276-TL-2H.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	12.1 Ohm @ 350mA, 10V
Potenza - Max	1.6W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FW276-TL-2HOSDKR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	55pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	450V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 700mA 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	700mA

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Post-Vendita
Specifiche

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