HUFA76419P3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HUFA76419P3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
Specifiche:	1.HUFA76419P3.pdf 2.HUFA76419P3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3101 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3101 pcs

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Specifiche di HUFA76419P3

Modello di prodotti	HUFA76419P3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3101 pcs	Scheda dati	1.HUFA76419P3.pdf 2.HUFA76419P3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	35 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 29A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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