IRLM210ATF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRLM210ATF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Specifiche:	1.IRLM210ATF.pdf 2.IRLM210ATF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4615 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4615 pcs

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Specifiche di IRLM210ATF

Modello di prodotti	IRLM210ATF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4615 pcs	Scheda dati	1.IRLM210ATF.pdf 2.IRLM210ATF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 390mA, 5V
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 770mA (Ta) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	770mA (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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