MBT35200MT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MBT35200MT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Specifiche:	MBT35200MT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	587201 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 587201 pcs

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Specifiche di MBT35200MT1G

Modello di prodotti	MBT35200MT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP 35V 2A 6TSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	587201 pcs	Scheda dati	MBT35200MT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	35V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	310mV @ 20mA, 2A
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	6-TSOP
Serie	-	Potenza - Max	625mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-23-6
Altri nomi	MBT35200MT1GOS MBT35200MT1GOS-ND MBT35200MT1GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	100MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1.5A, 1.5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	2A
Numero di parte base	MBT35200

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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