MJ11033G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJ11033G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
Specifiche:	MJ11033G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	10144 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10144 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di MJ11033G

Modello di prodotti	MJ11033G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP DARL 120V 50A TO3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	10144 pcs	Scheda dati	MJ11033G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	120V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3.5V @ 500mA, 50A
Tipo transistor	PNP - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3
Serie	-	Potenza - Max	300W
imballaggio	Tray	Contenitore / involucro	TO-204AE
Altri nomi	MJ11033GOS	temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 25A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	2mA	Corrente - collettore (Ic) (max)	50A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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