MJD253-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJD253-1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP 100V 4A IPAK
Specifiche:	MJD253-1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	141059 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 141059 pcs

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Specifiche di MJD253-1G

Modello di prodotti	MJD253-1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP 100V 4A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	141059 pcs	Scheda dati	MJD253-1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	-	Potenza - Max	1.4W
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi	MJD253-1G-ND MJD253-1GOS MJD2531G	temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	40MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	40 @ 200mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	4A
Numero di parte base	MJD253

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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