MJD3055T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJD3055T4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 60V 10A DPAK
Specifiche:	MJD3055T4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	362252 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 362252 pcs

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Specifiche di MJD3055T4G

Modello di prodotti	MJD3055T4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 60V 10A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	362252 pcs	Scheda dati	MJD3055T4G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	60V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	8V @ 3.3A, 10A
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Potenza - Max	1.75W
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	MJD3055T4GOS MJD3055T4GOS-ND MJD3055T4GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	2MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)	50µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	10A
Numero di parte base	MJD3055

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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