MJE271G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJE271G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
Specifiche:	MJE271G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5306 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5306 pcs

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Specifiche di MJE271G

Modello di prodotti	MJE271G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5306 pcs	Scheda dati	MJE271G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3V @ 1.2mA, 120mA
Tipo transistor	PNP - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-225AA
Serie	-	Potenza - Max	1.5W
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi	MJE271G-ND MJE271GOS	temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	6MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1500 @ 120mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	1mA	Corrente - collettore (Ic) (max)	2A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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