MJE800STU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MJE800STU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Specifiche:	MJE800STU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	175915 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175915 pcs

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Specifiche di MJE800STU

Modello di prodotti	MJE800STU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 60V 4A TO126	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	175915 pcs	Scheda dati	MJE800STU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	60V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-126
Serie	-	Potenza - Max	40W
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi	MJE800STU-ND MJE800STUFS	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-126	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	4A
Numero di parte base	MJE800

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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