MMBF4391LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMBF4391LT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Specifiche:	MMBF4391LT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	819865 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 819865 pcs

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Specifiche di MMBF4391LT1G

Modello di prodotti	MMBF4391LT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	819865 pcs	Scheda dati	MMBF4391LT1G.pdf
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id	4V @ 10nA	Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)	30V
Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)	Serie	-
Resistenza - RDS (on)	30 Ohms	Potenza - Max	225mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	MMBF4391LT1GOS MMBF4391LT1GOS-ND MMBF4391LT1GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 15V
Tipo FET	N-Channel	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)	50mA @ 15V
Numero di parte base	MBF4391

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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