MMBT5551LT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMBT5551LT3G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Specifiche:	MMBT5551LT3G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3182643 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3182643 pcs

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Specifiche di MMBT5551LT3G

Modello di prodotti	MMBT5551LT3G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3182643 pcs	Scheda dati	MMBT5551LT3G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	160V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Potenza - Max	225mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	MMBT5551LT3G-ND MMBT5551LT3GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA
Numero di parte base	MMBT5551

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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