MMBTA13LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMBTA13LT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Specifiche:	MMBTA13LT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5122 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5122 pcs

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Specifiche di MMBTA13LT1

Modello di prodotti	MMBTA13LT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5122 pcs	Scheda dati	MMBTA13LT1.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	30V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Potenza - Max	225mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	MMBTA13LT1OSCT	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenza - transizione	125MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	10000 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	300mA
Numero di parte base	MMBTA13

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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