MMJT350T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMJT350T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Specifiche:	MMJT350T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	351711 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 351711 pcs

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Specifiche di MMJT350T1G

Modello di prodotti	MMJT350T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	351711 pcs	Scheda dati	MMJT350T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	300V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	-
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223
Serie	-	Potenza - Max	650mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi	MMJT350T1G-ND MMJT350T1GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA
Numero di parte base	MMJT350

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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