MMUN2113LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMUN2113LT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Specifiche:	MMUN2113LT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	2970 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2970 pcs

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Specifiche di MMUN2113LT1

Modello di prodotti	MMUN2113LT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	2970 pcs	Scheda dati	MMUN2113LT1.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms	Potenza - Max	246mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	MMUN2113LT1OSCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	MMUN21**L

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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