MMUN2216LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MMUN2216LT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3
Specifiche:	MMUN2216LT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3959152 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3959152 pcs

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Specifiche di MMUN2216LT1G

Modello di prodotti	MMUN2216LT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3959152 pcs	Scheda dati	MMUN2216LT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Potenza - Max	400mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	MMUN2216LT1GOS MMUN2216LT1GOS-ND MMUN2216LT1GOSTR
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 400mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	MMUN22**L

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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