MUN5211T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MUN5211T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3
Specifiche:	MUN5211T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	650612 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 650612 pcs

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Specifiche di MUN5211T1G

Modello di prodotti	MUN5211T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	650612 pcs	Scheda dati	MUN5211T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SC-70-3 (SOT323)
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	202mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323
Altri nomi	MUN5211T1GOSCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	MUN52**T

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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