MVB50P03HDLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MVB50P03HDLT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	INTEGRATED CIRCUIT
Specifiche:	MVB50P03HDLT4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2835 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2835 pcs

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Specifiche di MVB50P03HDLT4G

Modello di prodotti	MVB50P03HDLT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	INTEGRATED CIRCUIT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2835 pcs	Scheda dati	MVB50P03HDLT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK-3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4.9nF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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