NE5230DR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NE5230DR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Specifiche:	NE5230DR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	47847 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47847 pcs

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Specifiche di NE5230DR2G

Modello di prodotti	NE5230DR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	47847 pcs	Scheda dati	NE5230DR2G.pdf
Alimentazione di tensione, singolo / doppio (±)	1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V	Tensione - Offset ingresso	400µV
Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC	Slew rate	0.25 V/µs
Serie	-	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tipo di uscita	Rail-to-Rail
Altri nomi	NE5230DR2GOSCT	temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C
Numero di circuiti	1	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Guadagno Prodotto larghezza di banda	600kHz	Descrizione dettagliata	General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Corrente - Alimentazione	1.1mA	Corrente - Uscita / Canale	32mA
Corrente - Polarizzazione ingresso	40nA	Numero di parte base	NE5230
Tipo Amplificatore	General Purpose

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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