NE5517DR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NE5517DR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC
Specifiche:	NE5517DR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	125097 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125097 pcs

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Specifiche di NE5517DR2G

Modello di prodotti	NE5517DR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	125097 pcs	Scheda dati	NE5517DR2G.pdf
Alimentazione di tensione, singolo / doppio (±)	4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V	Tensione - Offset ingresso	400µV
Contenitore dispositivo fornitore	16-SOIC	Slew rate	50 V/µs
Serie	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Tipo di uscita	Push-Pull
Altri nomi	NE5517DR2G-ND NE5517DR2GOSTR	temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C
Numero di circuiti	2	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Guadagno Prodotto larghezza di banda	2MHz	Descrizione dettagliata	Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC
Corrente - Alimentazione	2.6mA	Corrente - Uscita / Canale	650µA
Corrente - Polarizzazione ingresso	400nA	Numero di parte base	NE5517
Tipo Amplificatore	Transconductance

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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