NID9N05ACLT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NID9N05ACLT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Specifiche:	NID9N05ACLT4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	65543 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65543 pcs

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Specifiche di NID9N05ACLT4G

Modello di prodotti	NID9N05ACLT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	65543 pcs	Scheda dati	NID9N05ACLT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 12V
Dissipazione di potenza (max)	1.74W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	NID9N05ACLT4GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 40V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 12V	Tensione drain-source (Vdss)	52V
Descrizione dettagliata	N-Channel 52V 9A (Ta) 1.74W (Ta) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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