NJX1675PDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NJX1675PDR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Specifiche:	NJX1675PDR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3809 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3809 pcs

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Specifiche di NJX1675PDR2G

Modello di prodotti	NJX1675PDR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3809 pcs	Scheda dati	NJX1675PDR2G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	30V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor	NPN, PNP	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Potenza - Max	2W
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	100MHz, 120MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	3A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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