NRVHPD660T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NRVHPD660T4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Specifiche:	NRVHPD660T4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	230286 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 230286 pcs

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Specifiche di NRVHPD660T4G

Modello di prodotti	NRVHPD660T4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	230286 pcs	Scheda dati	NRVHPD660T4G.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	3V @ 6A	Tensione - inversa (Vr) (max)	600V
Contenitore dispositivo fornitore	DPAK	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Tempo di ripristino inverso (trr)	50ns
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr	30µA @ 600V	Corrente - raddrizzata media (Io)	6A
Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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