NSBA113EF3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSBA113EF3T5G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS DUAL PNP
Specifiche:	NSBA113EF3T5G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	852576 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 852576 pcs

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Specifiche di NSBA113EF3T5G

Modello di prodotti	NSBA113EF3T5G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS DUAL PNP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	852576 pcs	Scheda dati	NSBA113EF3T5G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-1123
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	1 kOhms
Resistor - Base (R1)	1 kOhms	Potenza - Max	254mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-1123
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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