NTBS2D7N06M7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTBS2D7N06M7
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Specifiche:	NTBS2D7N06M7.pdf
Condizione di scorta	43383 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43383 pcs

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Specifiche di NTBS2D7N06M7

Modello di prodotti	NTBS2D7N06M7	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	43383 pcs	Scheda dati	NTBS2D7N06M7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	176W (Tj)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6655pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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