NTD18N06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD18N06
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Specifiche:	NTD18N06.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3470 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3470 pcs

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Specifiche di NTD18N06

Modello di prodotti	NTD18N06	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3470 pcs	Scheda dati	NTD18N06.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 55W (Tj)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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