NTD20N03L27

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD20N03L27
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Specifiche:	NTD20N03L27.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	7029 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7029 pcs

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Specifiche di NTD20N03L27

Modello di prodotti	NTD20N03L27	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	7029 pcs	Scheda dati	NTD20N03L27.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	1.75W (Ta), 74W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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