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NTD3813NT4G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: NTD3813NT4G
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
Specifiche: NTD3813NT4G.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 5991 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5991 pcs
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Specifiche di NTD3813NT4G

Modello di prodotti NTD3813NT4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 5991 pcs Scheda dati NTD3813NT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore DPAK
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 8.75 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 963pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 16V Descrizione dettagliata N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.6A (Ta), 51A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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