NTGD4167CT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTGD4167CT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Specifiche:	NTGD4167CT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	206511 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206511 pcs

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Specifiche di NTGD4167CT1G

Modello di prodotti	NTGD4167CT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	206511 pcs	Scheda dati	NTGD4167CT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	6-TSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Potenza - Max	900mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	NTGD4167CT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A, 1.9A	Numero di parte base	NTGD4167C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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