NTGS4111PT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTGS4111PT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Specifiche:	NTGS4111PT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5385 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5385 pcs

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Specifiche di NTGS4111PT1

Modello di prodotti	NTGS4111PT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5385 pcs	Scheda dati	NTGS4111PT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-TSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 3.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	630mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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