NTHD4N02FT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTHD4N02FT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Specifiche:	NTHD4N02FT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	6253 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6253 pcs

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Specifiche di NTHD4N02FT1

Modello di prodotti	NTHD4N02FT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	6253 pcs	Scheda dati	NTHD4N02FT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ChipFET™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	910mW (Tj)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	NTHD4N02FT1OS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Tj)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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