NTLGF3501NT2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTLGF3501NT2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Specifiche:	NTLGF3501NT2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	180999 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 180999 pcs

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Specifiche di NTLGF3501NT2G

Modello di prodotti	NTLGF3501NT2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	180999 pcs	Scheda dati	NTLGF3501NT2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-DFN (3x3)
Serie	FETKY™	Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.14W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-VDFN Exposed Pad	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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