NTLJS3A18PZTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTLJS3A18PZTWG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Specifiche:	NTLJS3A18PZTWG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5619 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5619 pcs

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Specifiche di NTLJS3A18PZTWG

Modello di prodotti	NTLJS3A18PZTWG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5619 pcs	Scheda dati	NTLJS3A18PZTWG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	18 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-WDFN Exposed Pad	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2240pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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