NTLTD7900ZR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTLTD7900ZR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Specifiche:	NTLTD7900ZR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5974 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5974 pcs

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Specifiche di NTLTD7900ZR2G

Modello di prodotti	NTLTD7900ZR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5974 pcs	Scheda dati	NTLTD7900ZR2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	Micro8™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	26 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potenza - Max	1.5W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-VDFN Exposed Pad	Altri nomi	NTLTD7900ZR2GOS NTLTD7900ZR2GOS-ND NTLTD7900ZR2GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.5W Surface Mount Micro8™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A	Numero di parte base	NTLTD7900Z

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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