NTMFS4108NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFS4108NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL
Specifiche:	NTMFS4108NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	51460 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51460 pcs

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Specifiche di NTMFS4108NT1G

Modello di prodotti	NTMFS4108NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	51460 pcs	Scheda dati	NTMFS4108NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.2 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 96.2W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	Altri nomi	NTMFS4108NT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 13.5A (Ta) 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	13.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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