NTMFS4825NFET1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFS4825NFET1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
Specifiche:	NTMFS4825NFET1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4537 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4537 pcs

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Specifiche di NTMFS4825NFET1G

Modello di prodotti	NTMFS4825NFET1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4537 pcs	Scheda dati	NTMFS4825NFET1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2 mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	950mW (Ta), 96.2W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	Altri nomi	NTMFS4825NFET1GOSDKR
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 171A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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