NTMFS4C025NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFS4C025NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN
Specifiche:	NTMFS4C025NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	258693 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 258693 pcs

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Specifiche di NTMFS4C025NT1G

Modello di prodotti	NTMFS4C025NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	258693 pcs	Scheda dati	NTMFS4C025NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.41 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.55W (Ta), 30.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	Altri nomi	NTMFS4C025NT1G-ND NTMFS4C025NT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1683pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 20A (Ta), 69A (Tc) 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 69A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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