NTMFS4C08NAT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFS4C08NAT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	241933 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 241933 pcs

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Specifiche di NTMFS4C08NAT1G

Modello di prodotti	NTMFS4C08NAT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	241933 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5.8 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.51W (Ta), 25.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN, 5 Leads	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.2nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 16.4A (Ta), 52A (Tc) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16.4A (Ta), 52A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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