NTMS4503NR2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMS4503NR2
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
Specifiche:	NTMS4503NR2.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	159858 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 159858 pcs

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Specifiche di NTMS4503NR2

Modello di prodotti	NTMS4503NR2	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	159858 pcs	Scheda dati	NTMS4503NR2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	930mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	NTMS4503NR2OSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	28V
Descrizione dettagliata	N-Channel 28V 9A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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