NTMS4937NR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMS4937NR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Specifiche:	NTMS4937NR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	57675 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NTMS4937NR2G

Modello di prodotti	NTMS4937NR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	57675 pcs	Scheda dati	NTMS4937NR2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	810mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	NTMS4937NR2GOSDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2563pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.6A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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