NTMS5P02R2SG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMS5P02R2SG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Specifiche:	NTMS5P02R2SG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	275772 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 275772 pcs

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Specifiche di NTMS5P02R2SG

Modello di prodotti	NTMS5P02R2SG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	275772 pcs	Scheda dati	NTMS5P02R2SG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.25V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	790mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	NTMS5P02R2SG-ND NTMS5P02R2SGOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.95A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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