NTP18N06L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTP18N06L
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
Specifiche:	NTP18N06L.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4154 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4154 pcs

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Specifiche di NTP18N06L

Modello di prodotti	NTP18N06L	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4154 pcs	Scheda dati	NTP18N06L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 7.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	48.4W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	NTP18N06LOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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