NTQS6463R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTQS6463R2
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Specifiche:	NTQS6463R2.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3552 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3552 pcs

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Specifiche di NTQS6463R2

Modello di prodotti	NTQS6463R2	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3552 pcs	Scheda dati	NTQS6463R2.pdf
Vgs (th) (max) a Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-TSSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	930mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Altri nomi	NTQS6463R2OS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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