NTTFS5116PLTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTTFS5116PLTWG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Specifiche:	NTTFS5116PLTWG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	291134 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 291134 pcs

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Specifiche di NTTFS5116PLTWG

Modello di prodotti	NTTFS5116PLTWG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	291134 pcs	Scheda dati	NTTFS5116PLTWG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-WDFN (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	52 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 40W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	NTTFS5116PLTWG-ND NTTFS5116PLTWGOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1258pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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