NTZD3155CT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTZD3155CT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Specifiche:	NTZD3155CT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	822779 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 822779 pcs

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Specifiche di NTZD3155CT1G

Modello di prodotti	NTZD3155CT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	822779 pcs	Scheda dati	NTZD3155CT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-563
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Potenza - Max	250mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666	Altri nomi	NTZD3155CT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 16V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	540mA, 430mA	Numero di parte base	NTZD3155C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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