NVB25P06T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVB25P06T4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Specifiche:	NVB25P06T4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	80818 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80818 pcs

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Specifiche di NVB25P06T4G

Modello di prodotti	NVB25P06T4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	80818 pcs	Scheda dati	NVB25P06T4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	82 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tj)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	NVB25P06T4G-ND NVB25P06T4GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	27.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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