NVC3S5A51PLZT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVC3S5A51PLZT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Specifiche:	NVC3S5A51PLZT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	359558 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 359558 pcs

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Specifiche di NVC3S5A51PLZT1G

Modello di prodotti	NVC3S5A51PLZT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	359558 pcs	Scheda dati	NVC3S5A51PLZT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.6V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	3-CPH
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	250 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.2W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	NVC3S5A51PLZT1G-ND NVC3S5A51PLZT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	262pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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