NVD4809NHT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVD4809NHT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Specifiche:	NVD4809NHT4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4001 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4001 pcs

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Specifiche di NVD4809NHT4G

Modello di prodotti	NVD4809NHT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 58A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4001 pcs	Scheda dati	NVD4809NHT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta), 52W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2155pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 11.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 58A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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